晶体管有源启动电路

图所示为一种更有效、反应更快的基本电路，它是具有一个高压晶体管Q1的启动系统。在此电路中要选择电阻R1、R2和Q1的增益，使Q1在刚通电后不久被偏置进入一种完全饱和导通的状态。

图1。8。2低损耗的有源晶体管启动电路，从300V直流电提供初始低压辅助充电器

当C1、C2充电时，电流流经R1、R2流入Q1的基极，使Q1完全导通。刚开始时齐纳二极管ZD1不导通，因为C3和Q1基极的电压是低的。随着Q1的导通，一个大得多的电流会流入低阻值的R3，并给C3充电。

在此电路中，R3可以有一个比图1。8。1所示电路中的R1和R：小得多的阻值。这不会导致过多的损耗或使效率变低，因电流只会在启动期间流经RQ1将在C充完电后关断，并将在接下来的整个启动期间运行于一种饱和导通的状态，因此它的功耗仍然非常小。应使R1有一个高的浪涌额定值，可用线绕式电阻或碳素混合体电阻。

通电后，电容C3将相当快地充电，则Q1的发射极和基极之间的电压将跟踪这个上升的电压+Vbe，直到Q1基极的电压达到齐纳电压ZD1，在此点上ZD1开始导通，使得Q1进入线性运行状态并使流入C3的充电电流减小。此时在Q1上形成电压和功耗，然而，旦变换器正常的工作状态形成，则从主变压器上的附加绕组上来的正反馈将通过D6和电阻R4提供电流给C3从而C3上的电压将继续增大，直到Q1的基一射极被反向偏置而完全关断。

此时，二极管D5导通，C3两端的电压将被齐纳二极管ZD1和二极管D5钳位，ZD1的功耗取决于R4的电压和最大辅助电流的值，在Q1关断后，流过R3的电流也为零，所以R3和Q1的功耗都将降为零。

因为启动动作很快，此处的R3和Q1可用很小型的元件，不需要散热器。为了避免在变换器故障时Q1和R3上出现危险的功耗状况，应使R能够维持连续的通电，否则会不安全，可熔电阻或者正温度系数（PTC）热敏电阻具有固有的自我保护特性，用于这种场合是比较理想的。

此电路能够支持相当大的启动电流，这给驱动电路的设计带来了更大的自由。

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