反激变换器“缓冲”电路

副边的击穿应力问题常由“缓冲电路”来解决。图表示一典型电路。缓冲网络的设计在前面电源适配器厂家玖琪实业有详细介绍。

在离线反激变换器中为了减少副边击穿应力，需要在开关晶体管两端跨接缓冲网络同时常常需要缓冲整流二极管来减少击穿应力以及RF辐射问题。

在图中，典型反激变换器的缓冲元件Ds、Cs和Rs跨接在Q1两端，其作用是在Q1关断时为原边感应驱动电流提供旁路和减少Q1集电极的电压变化率。

工作原理如下：当Q1开始关断时，其集电极上的电压将会升高，原边电流将经二极管D。转移到电容Cs。晶体管Q1关断非常快，其集电极上的dv／dt将由关断时集电极原有的电流和Cs的值来决定。

集电极的电压会突然升高，直到限定值（2V。）。很短时间后，由于漏感，输出副边绕组上电压将达到V。（等于输出电压加二极管压降），反激电流将由原边交换到副边，经D1建立的电流速率由副边漏感决定。

实际上，Q1不会立即关断，如果要避免副边击穿电压，缓冲元件应这样选择，使得Q1集电极上的电压在电流降到零之前不超过Vceo，如图所示。

除非知道Q2的关断时间，否则这些元件的优化选择是凭经验的，根据是对集电极上关断电压和电流的测量。图表示在有和没有缓冲网络时的典型关断波形和开关应力。

当电流到零时，应对集电极电压提供安全电压裕量，由于工作温度、负载、晶体管参数的分散性以及驱动设计对这些参数存在相当的影响，认为该值至少应低于V。的30%图2。3。3表示了限制条件。在本例中，集电极电压达到V=时，集电极电流刚好降到零。

一方面，应避免C。取值太大，这是由于在反激期间结束时，储存在该电容的能量必须在导通期间的前段时间消耗在R2上。

Rs的值应折中选择。阻值太小会使导通瞬间Q上的电流过大，这会增大导通过程损耗。另一方面，阻值太大，在最小导通期间Cs不能充分放电。

集电极电压和电流波形，表示装有耗能元件时的相移，以及Q关断边缘的缓冲电流波形

对所举100W例子，各值是较好折中选择的。可是，在窄脉冲条件下要仔细检查Q集电极上电压和电流波形。在此使用的缓冲器的选择同样是采用折中的办法。缓冲器元件的优化选择在第一部分第18章有详细介绍，那里使用了更为有效的缓冲方法，并避免了元件的折中选择。

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