AC和DC条件中的气隙影响

AC条件中的气隙影响

从图中可见，磁心气隙增加使B／H特性的斜率减小，但需要的△B不变。因此磁场电流△H增加。这表示磁心的导磁率显著减小及原边电感减小，因此磁心气隙不会改变交流磁通密度的需求，或相反还改善了磁心的交流性能。

通常的错误观点是，假设由于原边匝数不够、过度施加交流电压或工作频率低（即过度施加伏秒△B。）而导致的磁心饱和可以通过引入气隙来纠正。从图可见这不是真实的。有或没有气隙，饱和磁通密度B=都保持一样，可是引入气隙会减小剩余磁通密度B。，并增加△B。的工作范围，这在不连续方式中是有帮助的。

DC条件中的气隙影响

绕组中的DC电流成分使B／H环中平行于H轴的DC磁化力H增加（Hx正比于平均直流安匝）。对于一个特定的副边负载电流，Hdc的值是确定的。对于直流条件，B被认为是因变量。

应该注意到，有气隙的磁心可以支持大得多的H值（DC电流）而不饱和。很清楚，在此例中较高的H值Ha足以使无气隙的磁心饱和（即使无任何交流成分）。因此，气隙对防止由绕组中的DC电流成分引起的磁心饱和非常有效。当反激变换器工作于连续方式时（如图2。1。5b所示），会产生大量的DC电流成分，故必须使用气隙。

图表示了有气隙和无气隙时磁通密度偏移△B。（用于承受所加的交流电压）加于由DC成分Hx产生的平均磁通密度B上的例子。对于无气隙磁心，小的直流极化H会产生磁通密度BA。对于有气磁心，产生同样的磁通密度BA需要大得多的DC电流Hm，还有可清楚地看到在有气例子中，即使加上最大的直流和交流成分，磁心都不会饱和。

总之，图表示磁通密度△B是由施加的交流电压引起的，在磁心中引入气隙对磁通密度△B。没有影响。可是在磁心中引入气隙会使平均磁通密度Ba（由绕组中的DC电流成分产生）大大减小。

在处理不完全能量传递（连续方式）工作方式时，提供直流磁化电流的裕度变得特别重要。这种方式中，磁心电流水远不会降到零，很明显无气隙时磁心就会饱和。

记住，使用的伏秒、匝数和磁心尺寸决定了垂直于B轴的磁通密度△B=的变化，而平均直流电流、匝数和磁路长度决定了平行轴上Hx的值。要提供足够的匝数和磁心尺寸来支持所加的交流电压，要提供足够的磁心气隙来防止饱和及支持直流电流成分