器件选型与辐射发射

电磁兼容问题很难解决吗？防止电磁干扰技术是高不可攀的技术难题吗？都不是，关键是人们对EMC 没有足够的重视。特别是一些电子、 电工产品生产厂家，缺乏 EMC 意识，缺乏 EMC 对策技术知识，同时， 为了降低成本，在产品的设计制造过程中，在应该使用抗电磁干扰电子元件的地方却没有使用，以致使产品出现 EMC 问题。在解决电磁兼容问题、 贯彻 EMC 标准过程中，合理的选择元件器往往被人们忽略，但元器件选型对于系统的辐射发射具有重大的影响。

器件导致EMI的原因

大家知道，电磁干扰必须包含三个要素，即电磁干扰源、电磁干扰传递途径（传导、辐射、耦合）、及接受电磁干扰的响应者。这三个要素相当复杂，不同的场合有不同的表现，总起来说，根据电磁感应、趋肤效应、电磁振荡与电磁波传播等基本物理规律可知，电磁物理量随时间变化越快，越容易感生电磁干扰；频率越高越容易产生辐射；电磁场强度与距离平方成反比；一些灵敏度高的未屏蔽电路容易产生耦合等等。随着数字电路的告诉发展，电子元器件的发展趋势具有如下几个特点。

1 高频化

近年来，电子产品向高频化发展的趋势十分明显。譬如LANSWITCH 工作时钟达到 125MHz， 传输产品最高工作频率已经达到 1GHz 以上。信号频率越高，越容易产生辐射和耦合，而且越难抑制和屏蔽，致使电磁干扰加剧。

2 高速数字化

数字电路是常见的电磁干扰源，同时数字电路的抗电磁干扰能力较弱，在电磁干扰下有时会产生误动作，随着数字电路的高速化，脉冲信号的上升/下降时间不超过信号周期的 5％， 这样陡的快速跳变信号包含了更多的频率更高的高次谐波分量。 这样，就更容易产生电磁干扰。

3 高密度组装

高密度组装的SMT 电路，以及密度更高的 MCM 组装方式，大大提高了电子元器件、 IC、机电部件的堆积密度，使电子元器件间的距离大大缩小，引脚间距和布线间距已缩小到 0.2mm，大大加剧了相互间的耦合，因而增加了抗电磁干扰的难度。

4 低电压化

我们当然希望我们的一块单板上实现尽量多的功能，这样就需要节省电源和缩小体积，要求IC 及半导体有源器件的工作电压降低，向低电压方向发展。但是电压降低之后，它们对瞬变电压、浪涌电压、静电放电等电磁干扰的抵抗能力明显下降，因而对电磁环境提出了更高的要求。反之， 对电子产品对外的干扰水平有了更为严格的要求。