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资深工程师从7个方面分析开关电源的设计细节

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资深工程师从7个方面分析开关电源的设计细节

1电源设计项目前期各个参数注意细节


借鉴下NXP这个TEA 1832图纸做个说明。分析里面的电路参数设计与优化并做到认证至量产。所有的元器件中尽量选择公司仓库里面的元件,和量大的元件,方便后续降本钱拿价格。


贴片电阻采用06035%08055%1%贴片电容容值越大价格越高,设计时需考虑。


1输入端,FUSE选择需要考虑到I^2T参数。安全丝的分类,快断,慢断,电流,电压值,安全丝的认证是否齐全。安全丝前的安规距离2.5mm以上。设计时尽量放到3mm以上。需考虑打雷击时,安全丝I2T否有余量,会不会打挂掉。

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2这个图中可以增加个压敏电阻,一般采用14D471也有采用561直径越大抗浪涌电流越大,也有增强版的10S47114S471等,一般14D471打1KV2KV雷击够用了增加雷击电压就要换成MOV+GDT有必要时,压敏电阻外面包个热缩套管。


3NTC这个图中可以增加个NTC有的客户有限制冷启动浪涌电流不超过60A 30A NTC另一个目的还可以在雷击时扛部分电压,减下MOSFET压力。选型时注意NTC电压,电流,温度等参数。


4共模电感,传导与辐射很重要的一个滤波元件,共模电感有环形的高导材料5K7K0K12K15K常用绕法有分槽绕,并绕,蝶形绕法等,还有UU型,分4个槽的ET型。这个如果能共用老机种的,本钱考虑,传导辐射测试完成后才能定型。


5X电容的选择,这个需要与共模电感配合测试传导与辐射才干定容值,一般情况为功率越大X电容越大。


6如果做认证时有输入LN放电时间要求,需要在X电容下放2并2串的电阻给电容放电。


7桥堆的选择一般需要考虑桥堆能过得浪涌电流,耐压和散热,防止雷击时挂掉。


8VCC启动电阻,注意启动电阻的功耗,主要是耐压值,1206一般耐压200V0805一般耐压150V能多留余量比较好。


9输入滤波电解电容,一般看成本的考虑,输出坚持时间的10mS依照电解电容容值的小情况80%容值设计,不同厂家和不同的设计经验有点出入,有一点要注意普通的电解电容和扛雷击的电解电容,电解电容的纹波电流关系到电容寿命,这个看和具体的系列了


10输入电解电容上有并联一个小瓷片电容,这个平时体现不出来用处,做传导抗扰度时有效果。


11RCD吸收局部,R取值对应MOSFET上的尖峰电压值,如果采用贴片电阻需注意电压降额与功耗。C一般取102/1031KV高压瓷片,整改辐射时也有可能会改为薄膜电容效果好。D一般用FR107FR207整改辐射时也有改为1N4007情况或者其他慢管,或者在D上套磁珠(K5A K5C等材质)小功率电源,RC可以采用TVS管替代,如P6KE160等。


12MOSFET选择,起机和短路情况需要注意SOA 高温时的电流降额,低温时的电压降额。一般600V2-12A 足够用与100W以内的反激,根据本钱来权衡选型。整改辐射时很多方法没有效果的时候,换个MOSFET就过了情况经常有。


13MOSFET驱动电阻一般采用10R+20R阻值大小对应开关速度,效率,温升。这个参数需要整改辐射时调整。


14MOSFETGA TESOURCE端需要增加一个10K-100K电阻放电。


15MOSFETSOURCEGND之间有个Isens电阻,功率尽量选大,尽量采用绕线无感电阻。功率小,或者有感电阻短路时有遇到过炸机现象。


16Isens电阻到ICIsens增加1个RC取值1K331调试时可能有作用,如果采用这个TEA 1832电路为参考,增加一个C并联到GND


17不同的IC外围引脚参考设计手册即可,根据自己的经验在IC引脚处放滤波电容。


18更改前:变压器的设计,反激变压器设计论坛里面讨