简单的密勒效应的实验电路

网站首页 » 新闻 » 行业动态 » 简单的密勒效应的实验电路

简单的密勒效应的实验电路

下图是一个简单的密勒效应的实验电路，可以应用于控制工作电流不大的电路的上电冲击电流。

电路中C1即Cgs，可以防止Vgs抖动，VIN开启通常都是开关或者直接插拔，Cgs有助于消除由于机械抖动导致的Vgs抖动，所以C1不能太小。C2即Cdg，Cdg与一个小电阻串联，主要目的是防止Idg过大，此外上电时，C1和C2有一个交流分压，所以C1最好远大于C2，防止MOS管误开启。D2是一个TVS，防止Vgs过压，导致MOS管闩锁。

三、相关计算

既然是计算，那么面临的问题就是计算什么？我们要利用密勒效应控制冲击电流，那么电流，也就是Ids是我们的计算对象。通过上文我们知道，密勒效应期间MOS管的栅源电压Ugs是保持不变的，那么Ugs就是我们需要计算的对象。

Ugs和Ids，共两个未知数，因此，需要建立两个独立的方程才能求得结果。

方程一

第一个方程来自于MOS管的特性，MOS管是电压控制型器件，由Ugs可以控制Ids，从教科书上可以找到如下公式，

Ids=Ido(Ugs/Ugs(th)-1)^2

上述公式需要两个参数，就是Ido和Ugs(th)，获取这个参数最好的方式，就是从MOS管的规格书上找到转移特性曲线，如下图

然后根据实际的Ids和Ugs，挑出两组值，就可以解出Ido和Ugs(th)。也可以用多组值利用数值方法，最小二乘法之类的拟合出一个Ido和Ugs(th)。

有了方程一，Ids和Ugs关系就知道了。

方程二

第二个方程来自于密勒效应，即密勒效应期间，栅源电源Ugs保持不变。

就是dUgs/dt=0，上文推出了Ids/Cds=Idg/Cdg。

此时又多了一个Idg为未知数，但Idg是实际电路电路参数决定的。

分析一下第二节中的电路图。

(Vin-Vsg)/R2-Idg=Vsg/R1

也就是(Vin-Vsg)/R2-IdsCdg/Cds=Vsg/R1，这就是方程二

方程二也说明可以通过电路参数人为控制密勒平台。

实测验证

有示波器和资源的可以焊接一个单板，利用示波器测试，看看与理论计算值是否相符。电源适配器公司验证过，但信息安全比较严，图片什么的就弄不出来了。好希望家里有个示波器。

要想在示波器上看到密勒平台，需要注意两点：

恒流期的Ugs要明显大于稳定时的Ugs(也就是R1和R2分压)，太接近就看不出来。
密勒平台持续时间要长，太短就看不出来，也就是恒流对负载电容充电的时间，电容电压高于一定值就会退出恒流区，这就要求要么充电电流小，要么负载电容很大。
文章转载自网络,如有侵权,请联系删除。

| 发布时间：2018.06.21 来源：电源适配器厂家

上一个：MOSFET密勒效应的计算与分析

下一个：薄膜电容的工艺与结构

东莞市玖琪实业有限公司专业生产：电源适配器、充电器、LED驱动电源、车载充电器、开关电源等....

电源适配器

新闻分类

联系我们

简单的密勒效应的实验电路

简单的密勒效应的实验电路